SJ 50033.108-1996 半导体分立器件2EY5671、2EY5672型体效应二极管详细规范
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日期： |
2024-7-27 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/108-96,半导体分立器件,2EY567K2EY5672 型体效应,二极管详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for Gunn diodes for type,2EY5671,2EY5672,1996-08-30 发布1997-01-01 实施,中华人民共和国电子工业部 批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,2EY5671.2EY5672 型体效应二极管 sj 50033/108-96,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for Gunn diodes for type 2EY5671 f 2EY5672,范,1.1 主题内容,本规范规定了 2EY5671.2EY5672型体效应二极管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33—85《半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军级、特,军级、超特军级,分别用GP、GT、GCT表示,2引用文件,GB 6570—86微波二极管测试方法,GJB 83—85 半导体分立器件总规范,GJB 128—86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应符合GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为铜,表面涂层应为金,中华人民共和国电子工业部1996-08-30发布1997-01-01 实施,1,SJ 50033/108-96,3.2.2器件结构,本器件采用n+ —n - n +碑化钱外延材料,电镀热沉,台式结构,同轴陶瓷管壳封装,3.2.3外形尺寸,外形尺寸见图!o,3.3,mm,、、尺寸,符,min bom max,虹） 1.72 1.8,初1 1.12 1.2,h 6.50 7.10,0.37 0.43,も5.10 5.70,M M2,3.3.I最大额定值,型 号,工作电压,V,工作电流,mA,工作温度,7 OD,r,贮存温度,匕,2EY5671,2EY5672,5 1200 -40-85 ―65~ 175,3.3.2 主要电特性（Ta =25じ）,2,下载,SJ 50033/108-96,特性和条件,型 号,输出功率,P 〇,mW,工作频率,y〇〇,GHz,工作电压,VoD,V,工作电流,mA,低场电阻,Ro,ら,2EY5671 >200 26.5.,40.0,4.5 <1200 〇.4~ 1.0,2EY5672 >250,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 6570和本规范的规定,3.5 标志,器件极性标志按图1识别,器件包装盒上的标志应符合GJB 33的规定,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验按GJB 33和本规范的规定,4.3 筛选,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定,其测试应按本规范3.4条规定进行,超出本规范,表1极限值的器件应予剔除,筛选表,见GJB 33表2,2高温寿命,3热冲击,5密封,高温反偏,7中间测试,8电老炼,最后测试,试验方法,GJB 128,1032,1051,1071,1038,测试和试验,200じ,72h,除循环20次外,其余同试验条件F,不适用,不适用,见431,[△Ro/RolCS%;其它参数按本规范表1的,A2和A4分组要求,筛选,6,9,バ,4.3.1 电老炼,电老炼条件如下:,Ta = 100じ,VOD = 5V, z = lh,将器件安装在90mm X 90mm X 4mm的铝板上,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定,3,SJ 50033/108-96,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定,4.5 检验和试验方法,检验和试验方法应按本规范相应的表的规定,表1A组检验,检验或试验,GB 6570,方法［条件LTPD 符号,最小值 最大值,单位,A1分组,外观及机械检验,A2分组,低场电阻,GJB 12,2071,B.1 10 = 10mA,5,5,Ro 0.4 1.0,A4分组,工作电流,工作频率,输出功率,2EY5671,2EY5672,5,B.5 VOd = 4.5V,8,foD,Po,26.5,200,250,1200,40,mA,GHz,mW,mW,表2 B组检验,GJB 128,检验或试验 --------------------- ----------------------,方法 条 件,LTPD,B2分组10,热冲击1051 试验条件F-1,25次循环タ,（温度循环） パ极限值）?lOmin, 25匕下,不要求有规则的停顿,最后测试见表4,步骤ハ2,B3分组,稳态工作寿命,5,1027,Ta = 25 匕?= 4.5V,最后测试,器件安装在90mmX 90mm x 4mm的铝板上,见表4,步骤2、3,B6分组,高温寿命,（不工作）,最后测试,1032,7,丁ん=175 匕,/ = 340h,见表4,步骤2、3,表3 C……
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